Обратимый топологически эквивалентный переход в хиральном жидком кристалле с отрицательной диэлектрической анизотропией
И. В. Симдянкин, А. Р. Гейвандов, С. П. Палто
Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова, Курчатовский комплекс кристаллографии и фотоники,
НИЦ Курчатовский институт, 119333 Москва, Россия
Abstract
В слое хирального жидкого кристалла с отрицательной диэлектрической анизотропией и
толщиной d,
соответствующей второй зоне Гранжана (3p0/4 < d < 5p0/4, где p0 - естественный шаг спирали),
под действием планарного электрического поля происходит ориентационный переход из основного состояния,
закрученного на угол 2π в топологически эквивалентное раскрученное состояние
(0-состояние). Хотя 0-состояние является метастабильным и долгоживущим,
оно может быть быстро переведено обратно в 2π-состояние импульсом электрического поля
сравнительно малой амплитуды. Если прямой переход в 0-состояние обусловлен взаимодействием
электрического поля с отрицательной диэлектрической
анизотропией, то быстрый обратный переход связывается нами с флексоэлектрическим взаимодействием.