 Home |
| For authors |
| Submission status |
| Archive
|
| Archive
(English)
|
| Current
|
| Volumes 93-112 |
 Volumes 113-120 |
| Volume 120 |
| Volume 119 |
| Volume 118 |
| Volume 117 |
| Volume 116 |
| Volume 115 |
| Volume 114 |
| Volume 113 |
| Search |
| VOLUME 120 (2024) | ISSUE 10 | PAGE 765 |
|---|
|
Влияние электрон-дефицитного замещения на спиновую динамику в FeGa3
А. В. Ткачев+, С. В. Журенко+, М. Р. Бикмухаметова*, М. С. Лиханов*, А. В. Шевельков*, А. А. Гиппиус+*
+ФИАН им. П. Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия *Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
Abstract
На примере изоэлектронных малоизученных соединений Fe0.92Re0.08Ga3 и Fe0.92Mn0.08Ga3 мы исследовали электрон-дефицитное замещение в перспективном термоэлектрике FeGa3 методом ядерного квадрупольного резонанса. Легирование соединений данного структурного типа помогает изучать зависимость термоэлектрических характеристик от электронной структуры и в конечном счете позволяет повысить термоэлектрическую эффективность, столь важную для практических применений. В обоих соединениях наблюдаются явные признаки формирования дополнительной акцепторной зоны внутри основной энергетической щели, определяемой замещающими атомами рения и марганца. При этом как спектры ядерного квадрупольного резонанса, так и ядерная спин-решеточная релаксация и ее температурная эволюция существенно различаются для исследуемых соединений. Мы связываем это с разной статистикой распределения замещающих атомов (преимущественное формирование гомогантелей в рений-замещенном соединении и гетерогантелей - в марганец-замещенном), обусловленной их внешними электронными оболочками. |