Ультрафиолетовая катодолюминесценция ионно-индуцированных дефектов в гексагональном нитриде бора
О. А. Гогина+*, Ю. В. Петров+*, О. Ф. Вывенко+, С. Ковальчук×, К. Болотин×
+Санкт-Петербургский государственный университет, 198504 С.-Петербург, Россия
*Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия
×Free University of Berlin, 14195 Berlin, Germany
Abstract
Гексагональный нитрид бора выделяют среди твердотельных материалов, обладающих
люминесцентными свойствами, как материал для создания источников одиночных
фотонов, эффективно излучающих уже при комнатной температуре. В настоящей
работе продемонстрированно, что бомбардировка ионами гелия c дозами
1•1014 -5•1014 ион/cм2
приводит к усилению интенсивности излучения ультрафиолетовой спектральной
полосы с максимумом на длине волны 320 нм, обусловленному образованием новых
центров люминесценции. Последующее облучение электронами способствует еще
большему разгоранию люминесценции полосы 320 нм, что, по-видимому, связано с
образованием углеродосодержащих дефектов объеме hBN по механизму
рекомбинационно-усиленной миграции. Большие дозы облучения ионами гелия,
напротив, стимулируют образование центров безызлучательной рекомбинации,
уменьшающих время жизни неравновесных носителей заряда.