Home
| VOLUME 121 (2025) | ISSUE 1 | PAGE 37 |
|---|
|
Метаморфные гетероструктуры с квантовыми точками InAs/InGaAs для генерации одиночных фотонов в спектральном С-диапазоне
С. В. Сорокин, Г. В. Климко, И. В. Седова, О. Е. Лакунцова, А. И. Галимов, Ю. М. Серов, А. И. Веретенников, Л. А. Снигирев, А. А. Торопов
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 194021 С.-Петербург, Россия
Abstract
В работе приведены результаты исследований по выращиванию методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур с квантовыми точками InAs/InGaAs и метаморфными буферными слоями (МБС) InxGa1-xAs/GaAs(001), предназначенных для получения однофотонной генерации в телекоммуникационном С-диапазоне длин волн. Проанализирована возможность уменьшения толщины градиентного слоя InxGa1-xAs с целью формирования эффективных микрорезонаторных структур с толщиной резонаторной полости вплоть до двух длин волн. Приведены данные характеризации методами просвечивающей электронной микроскопии в геометрии поперечного сечения и спектроскопии фотолюминесценции структур с метаморфными буферными слоями, выращенных на поверхности распределенного брэгговского отражателя Al0.9Ga0.1As/GaAs. |