Магнитное управление кинетической индуктивностью в элементах сверхпроводниковой электроники
А. А. Неило+, С. В. Бакурский*, Н. В. Кленов+, И. И. Соловьев+×, М. Ю. Куприянов*
+Физический факультет, МГУ имени М. В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
*Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына МГУ, 119991 Москва, Россия
×Московский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Россия
Abstract
Теоретически исследован продольный электронный транспорт в многослойной
сверхпроводниковой (S) структуре SF1S1F2sN с двумя
ферромагнитными (F) слоями и слоем нормального металла (N). Расчеты
показали, что поворот намагниченности ферромагнитных слоев друг
относительно друга позволяет плавно изменять величину кинетической
индуктивности структуры в несколько раз. Мы обнаружили особенность
электронного состояния структуры в области параметров системы,
соответствующей ее переходу от состояния с устойчивой джозефсоновской
фазой 0 к состоянию с устойчивой фазой π (0-π переход). Эта
особенность приводит к подавлению синглетной компоненты амплитуды
спаривания и росту кинетической индуктивности всей структуры.
Исследование влияния конечного продольного тока на транспорт заряда
показало, что разрушение сверхпроводимости в разных слоях происходит по
очереди, и на зависимости LK(J) есть несколько плато с почти
постоянной величиной индуктивности.