Home
| VOLUME 121 (2025) | ISSUE 3 | PAGE 189 |
|---|
|
Однофотонное излучение в С-диапазоне в цилиндрическом микрорезонаторе с квантовыми точками InAs/InGaAs
А. И. Веретенников+, М. В. Рахлин+, Ю. М. Серов+, А. И. Галимов+, Г. П. Вейшторт+, С. В. Сорокин+, Г. В. Климко+, И. В. Седова+, Н. А. Малеев+, М. А. Бобров+, А. П. Васильев+*, А. Г. Кузьменков+, М. М. Кулагина+, Ю. М. Задиранов+, С. И. Трошков+, Ю. А. Салий+, Д. С. Березина+, Е. В. Никитина+×, А. А. Торопов+
+Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 194021 С.-Петербург, Россия *Научно-технологический центр Микроэлектроники РАН, 194021 С.-Петербург, Россия ×Санкт-Петербургский Академический университет РАН, 194021 С.-Петербург, Россия
Abstract
В работе реализован источник однофотонного излучения для телекоммуникационного С-диапазона на основе эпитаксиальных квантовых точек InAs/InGaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Использование высококонтрастных распределенных брэгговских отражателей AlGaAs/GaAs и плазмохимического травления позволило изготовить микрорезонаторные структуры, расчетная эффективность вывода излучения из которых в числовую апертуру 0.7 составила 15 %. Измеренное значение корреляционной функции второго порядка g(2)(0) составило 0.14 при средней интенсивности однофотонного излучения на первой линзе порядка 1 МГц. Полученные результаты свидетельствуют о возможности использования исследуемого источника однофотонного излучения в системах квантовой криптографии. |