Новый высокосимметричный структурный радиационный дефект в алмазе, выявленный методом ЭПР
С. В. Вяткин+*, В. Г. Винс+×, П. А. Данилов+, С. И. Кудряшов+
+Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
*Геологический факультет, МГУ имени М. В. Ломоносова, 119234 Москва, Россия
×ООО "Велман", 630058 Новосибирск, Россия
Abstract
Методом электронного парамагнитного резонанса проведено первичное исследование
структурного центра, образованного в синтетическом алмазе типа Ib после облучения
электронами 3 МэВ и отжига 1200 °С/30 мин. Условия образования и полученные
характеристики сближают его с группой парамагнитных центров R5-R12, однако в
отличие от них исследованный центр более высокосимметричен: при таком же спине S = 1
он обладает практически изотропными (в пределах точности эксперимента и
моделирования) g-фактором g = 2.018(2), значительной величиной расщепления в
нулевом поле D = 2886(9) МГц, а также симметрией <111> (C3v). Исследованный центр
можно считать ярким примером тенденции к повышению локальной симметрии
структурных центров в алмазе при увеличении энергии порождающего их облучения и, в
особенности, температуры последующего отжига.