JETP Letters: issues online

Исследована проводимость пленок номинально нелегированного монокристаллического алмаза, эпитаксиально выращенного методом газофазного химического осаждения (CVD) на сильно легированной бором алмазной p⁺-подложке. Проводимость пленок определяется акцепторной примесью бора. Температурная зависимость проводимости в интервале температур 300-500 К подчиняется активационному закону, однако энергия активации значительно превышает энергию ионизации акцепторов бора $\varepsilon_i = 0.37$ эВ. Обнаружено, что акцепторы сильно компенсированы. Это приводит к возникновению случайного потенциала большой амплитуды $\gamma\approx 0.2$ эВ, из-за чего энергия активации сильно возрастает до величины ${\sim}\varepsilon_i +\gamma$ . Причина возникновения большого случайного потенциала связывается с самокомпенсацией примесей бора атомами азота в процессе CVD роста алмазных пленок на сильно легированной подложке.