Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 93-112
   Volumes 113-121
      Volume 121
      Volume 120
      Volume 119
      Volume 118
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
Search
VOLUME 121 (2025) | ISSUE 7 | PAGE 589
Природа локального спаривания носителей заряда в семействе высокотемпературных сверхпроводников на основе BaBiO3 (Миниобзор)
DOI: 10.31857/S0370274X25040081
Abstract
Представлена модель локального спаривания носителей заряда в реальном пространстве в семействе висмутатных высокотемпературных сверхпроводящих оксидов, основанная на экспериментальных данных рентгеновской спектроскопии поглощения с использованием синхротронного излучения и излучения рентгеновского лазера на свободных электронах. Предложено объяснение природы двух энергетических щелей и диэлектрического состояния висмутата бария BaBiO3, металлического состояния плюмбата бария BaPbO3, фазовой диаграммы и появления сверхпроводимости при допировании BaBiO3 свинцом и калием. Обсуждена возможность реализации как фононного, так и электронного механизма спаривания.