Home
| VOLUME 121 (2025) | ISSUE 7 | PAGE 605 |
|---|
|
Метамагнитный переход в ван-дер-ваальсовом антиферромагнетике
А. К. Звездин*×, M. А. Колюшенков+, А. П. Пятаков+
+Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия *Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия ×Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского федерального исследовательского центра РАН, 367003 Махачкала, Россия
Abstract
На примере двумерного антиферромагнитика - бислоя CrI3 рассмотрена специфика метамагнитного перехода в ван-дер-ваальсовых антиферромагнетиках. Отдельное внимание уделено разновидности магнитоэлектрического эффекта, проявляющегося, как вызванный электрическим полем переход из антиферромагнитного в ферромагнитное состояние в магнитном поле смещения, близким к критическому полю перехода. В качестве механизма эффекта предложен линейный магнитоэлектрический эффект, разрешенный симметрией кристалла. На основе теоретико-группового подхода получена структура тензора магнитоэлектрического эффекта в CrI3 и подобных ему кристаллах, предполагающая, что в окрестности спин-флоп перехода наряду с продольным возможен и поперечный магнитоэлектрический эффект, при условии уменьшения магнитной анизотропии до величин, сравнимых с полем межслойного обмена. Наличие поперечного магнитоэлектрического эффекта важно в контексте обнаружения электроиндуцированных гиромагнитных эффектов в ван-дер-ваальсовых материалах. |