Home
| VOLUME 121 (2025) | ISSUE 8 | PAGE 688 |
|---|
|
Сверхбыстрая кинетика люминесценции и эффекты локализации неравновесных носителей в вырожденных слоях n-InGaN1)
К. Е. Кудрявцев2), Д. Н. Лобанов, М. А. Калинников, А. В. Новиков, Б. А. Андреев, З. Ф. Красильник
Институт физики микроструктур РАН (ИФМ РАН), 603087 Н. Новгород, Россия
Abstract
В работе исследованы эффекты локализации неравновесных дырок в вырожденных эпитаксиальных пленках n-InGaN с высокой (  60
в ближней инфракрасной области спектра.
По данным спектроскопии фотолюминесценции с пикосекундным временным разрешением проведена
характеризация энергетических масштабов хвостов зон, установлены энергия локализации и ширина
распределения неравновесных дырок в случайном потенциальном рельефе. С учетом полученных
параметров в рамках модели рекомбинации свободных электронов и локализованных дырок объясняются
характер температурного гашения эмиссии и красный сдвиг длины волны генерации относительно
спонтанного излучения.
|