Фотолюминесценция δ-р-легированного арсенида галлия
Гилинский А.М., Журавлев К.С., Лубышев Д.И., Мигаль В.П., Семягин Б.Р.
Методом низкотемпературной фотолюминесценции исследовались механизмы излуча-тельной рекомбинации в δ-ρ-легированном GaAs, Обнаружены интенсивные линии люминесценции, свидетельствующие о рекомбинации фотоэлектронов с размерно-квантованными дырками,