О проводимости квазиодномерного канала в баллистическом режиме
Шикин В.Б.
Обсуждается степень зависимости баллистической проводимости квазиодномерного канала от реальной формы V(xj внешнего потенциала, формирующего данный канал. Показано, что полное число Ιψ электронных подзон, расположенных в данном канале ниже уровня Ферми, "чувствительно'* к реальному профилю V(x),
|