Когерентные фононы субтерагерцового диапазона частот в InAs/GaSb сверхрешетках1)
А. Ю. Клоков, Н. Ю. Фролов2), А. И. Шарков, В. С. Кривобок, А. В. Клековкин, Г. Н. Ерошенко, И. И. Минаев
Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
Abstract
Методами лазерной фотоакустики исследованы генерация и
распространение когерентных фононов в короткопериодных InAs/GaSb
сверхрешетках, выращенных на GaSb (001) подложках. Показано, что при
воздействии фемтосекундными лазерными импульсами на поверхность скола
(110) возбуждаются когерентные фононы субтерагерцового диапазона
частот, распространяющиеся под малым углом к поверхности (110) и
эффективно взаимодействующие с электромагнитным излучением,
поляризованным перпендикулярно слоям сверхрешетки. Выявленные особенности
взаимодействия электромагнитного излучения со "свернутыми" фононными
модами позволяют предложить новый метод локального контроля
кристаллической структуры InAs/GaSb сверхрешеток, точность которого
сопоставима с рентгеновскими методами.