Home
| VOLUME 122 (2025) | ISSUE 12 | PAGE 855 |
|---|
|
Активные элементы устройств оптических фазовращателей на основе тонких пленок материалов Ge2Sb2Se4Te1, Sb2Se3 и Bi2Se3
А. А. Бурцев+, В. В. Ионин+, А. В. Киселев+, В. А. Михалевский+, Н. Н. Елисеев+, А. А. Невзоров+*, Е. В. Хайдуков×, А. А. Лотин+×
+Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 123182 Москва, Россия *Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСИС", 119049 Москва, Россия ×Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский химико-технологический университет имени Д. И. Менделеева", 125047 Москва, Россия
Abstract
Представлены экспериментальные результаты исследования фазового сдвига оптического пучка в свободном пространстве, обусловленного формированием кристаллической структуры в элементарных управляемых ячейках на основе тонких пленок фазоизменяемых материалов Ge2Sb2Se4Te1, Sb2Se3 и Bi2Se3, подвергнутых управляющему воздействию импульсного лазерного излучения. Продемонстрировано изменение фазы исследуемого оптического пучка, проходящего через управляемую ячейку из фазоизменяемого материала, относительно контрольного пучка в интерферометре Жамена. Приведены оценки фазового сдвига на основе аналитических выражений. |