Home
| VOLUME 122 (2025) | ISSUE 12 | PAGE 860 |
|---|
|
Асимптотический анализ квантового мемристора на ультрахолодном ионе 171Yb+
И. А. Ковалишин+, С. Ю. Стремоухов+*×, П. А. Форш+*, Н. Н. Колачевский*°, К. Ю. Хабарова*
+Физический факультет, МГУ имени М. В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия *Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия ×Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 123182 Москва, Россия °Российский квантовый центр, 121205 Москва, Россия
Abstract
Представлено аналитическое рассмотрение динамики населенности уровней квантового мемристора на ультрахолодных ионах 171Yb+ в случае, когда импульсы воздействующих резонансных к переходам между уровнями лазерных полей существенно разделены во времени. Показано, что в этом случае динамика населенностей уровней, а также управляющий параметр мемристора могут быть вычислены аналитически. Сравнение полученных зависимостей с прямым численным решением системы уравнений для амплитуд населенностей уровней демонстрирует хорошее совпадение. |