Home
| VOLUME 123 (2026) | ISSUE 1 | PAGE 3 |
|---|
|
Оптическая спектроскопия метаморфных гетероструктур с квантовыми точками InAs/InGaAs, излучающими в диапазоне
 1.55 мкм
О. Е. Лакунцова+, Г. В. Климко+, И. В. Седова+, С. А. Хахулин*, Д. Д. Фирсов*, О. С. Комков+*, Ю. М. Серов+, А. И. Веретенников+, Г. П. Вейшторт+, А. В. Мясоедов+, С. В. Сорокин+
+Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия * Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина), 197022 С.-Петербург, Россия
Abstract
В работе методами структурной и оптической характеризации исследованы гетероструктуры с квантовыми точками InAs/InGaAs, излучающими в диапазоне длин волн  1.55 мкм, содержащие метаморфные буферные слои
InxGa1-xAs/GaAs(001) различной толщины и с различным профилем изменения состава,
выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Максимальная мольная доля In в
слое переменного состава InxGa1-xAs составила  при его толщине, изменяющейся
в диапазоне от 220 до 1100 нм. Установлена взаимосвязь между наблюдаемыми
особенностями в спектрах фотоотражения и фотолюминесценции c параметрами
метаморфных гетероструктур. Показано, что наиболее высокоэнергетическая S-образная
особенность в спектрах фотоотражения связана с переходами в инверсном слое InxGa1-xAs,
расположенном вблизи поверхности структуры. Наблюдаемое в спектрах
низкотемпературной фотолюминесценции плечо на коротковолновой стороне широкого
пика, связанного с излучением из квантовых точек InAs/InGaAs, позволяет соотнести его с переходами
из верхней части метаморфных буферных слоев InxGa1-xAs.
|