Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 93-112
   Volumes 113-123
      Volume 123
      Volume 122
      Volume 121
      Volume 120
      Volume 119
      Volume 118
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
Search
VOLUME 123 (2026) | ISSUE 1 | PAGE 63
Обменное рассеяние в полупроводниках: эффективный механизм ориентации спинов электронов и ядер
DOI: 10.7868/S3034576626010085
Abstract
В работе исследуется обменное рассеяние электронов на нейтральных донорных примесях в полупроводниках. Показано, что различие сечений в разных спиновых конфигурациях существенно при реалистичных значениях параметров и может играть важную роль в транспортных свойствах полупроводниковых гетероструктур. Обсуждается возможность использования механизма обменного рассеяния для ориентации спинов локализованных электронов и ядер при оптической накачке, что представляет интерес как для фундаментальных исследований, так и для развития спинтроники.