Анизотропия электронной подвижности двумерных бифениленовых структур1)
В. Л. Катков2), В. А. Осипов
Лаборатория теоретической физики имени Н. Н. Боголюбова,
Объединенный институт ядерных исследований, 141980 Дубна, Россия
Abstract
Теоретически исследована электронная подвижность, ограниченная
фононами, для недавно синтезированного аллотропа углерода - двумерного
бифенилена. Проведен расчет квазиодномерных структур, соответствующих полученным в
эксперименте. Обнаружено, что в них происходит линейный рост подвижности
с увеличением ширины ленты. В двумерном бифенилене выявлена сильная
анизотропия электронной проводимости и подвижности. А именно, в
кристаллографическом направлении, соответствующем 1D структурам, величина
подвижности составляет 102 см2/(В с), в то время как в
перпендикулярном направлении она на порядок выше. Вычисления были
проведены с помощью метода неортогональной сильной связи.