Home
| VOLUME 123 (2026) | ISSUE 5 | PAGE 331 |
|---|
|
Особенности затухания осцилляций Раби в полупроводнике в процессе сверхизлучательного фазового перехода
П. П. Васильев
Физический интститут им. П. Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
Abstract
Экспериментально и теоретически исследованы осцилляции Раби в полупроводниковых гетероструктурах в режиме генерации сверхизлучения при комнатной температуре. Экспериментально обнаружено аномально большое время затухания осцилляций в структурах с низкодобротным резонатором. Теоретическая модель динамики когерентного взаимодействия электронно-дырочной системы с электромагнитным полем в таком резонаторе, построенная на основе классических уравнений Максвелла-Блоха, предсказывает величину времени затухания, более чем на порядок меньшую, чем измеренную в эксперименте. Предполагается, что одной из вероятных причин обсуждаемого эффекта может быть наличие квантовой обратной связи, возникающей при распространении двух встречных электромагнитных волн, являющихся медиаторами взаимодействия двух когерентных электронно-дырочных ансамблей, и приводящих к возникновению квантовой запутанности их с электромагнитным полем. |