Home
| VOLUME 123 (2026) | ISSUE 9 | PAGE 616 |
|---|
|
Особенности "вакансионной" фотопроводимости в бесщелевых и узкозонных структурах кадмий-ртуть-теллур
А. В. Иконниковa, В. В. Румянцевb,c, С. Н. Чмырьa, М. С. Жолудевd, В. Я. Алешкинb,c, Н. Н. Михайловe,f, С. А. Дворецкийe,g, В. И. Гавриленкоb,c
aФизический факультет, МГУ имени М. В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия bИнститут физики микроструктур РАН, 603087 Н. Новгород, Россия cНациональный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Н. Новгород, Россия dООО "Яндекс.Технологии", 119021 Москва, Россия eИнститут физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия fНовосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия gТомский государственный университет, 634050 Томск, Россия
Abstract
Исследованы спектры длинноволновой инфракрасной фотопроводимости в эпитаксиальных пленках твердых растворов Hg1-xCdxTe с малой (от нуля до  10 мэВ)
шириной запрещенной зоны при температуре жидкого гелия. Благодаря тому, что в таких
условиях все двухзарядные вакансии ртути являются нейтральными, среди оптических
переходов в резонансные состояния акцепторов в зоне проводимости удалось
идентифицировать линии, не связанные с однократно ионизованными вакансиями ртути.
Приложение магнитного поля приводит к появлению/увеличению ширины запрещенной
зоны и трансформации резонансных состояний акцепторов в локализованные, что влечет
многократное уменьшение амплитуды линий в спектрах фотопроводимости из-за большой
разницы подвижности носителей заряда в зоне проводимости и в валентной зоне.
|