JETP Letters: issues online

Исследовано влияние облучения электронами с энергией 3 МэВ при флюенсе 5× 10¹⁸ см^-2 на теплопроводность κ (T) HPHT монокристаллов алмаза типа IIa и типа Ib с концентрацией азота менее 1 ppm и приблизительно 70 ppm соответственно. Облучение приводит к подавлению κ (T) во всем диапазоне исследованных температур 5 < T < 410 К. Для чистого алмаза сильнейшее уменьшение κ (T) в 350 раз наблюдается при 25-30 К, но при комнатной температуре падение κ (300 K) составляет 1.56 раза. Теплопроводность облученного легированного алмаза подавлена гораздо слабее при низких температурах, но сильнее при T > 140 K по сравнению с чистым алмазом. После облучения различие в степени подавления теплопроводности двух типов алмазов столь велико, что κ (T) для легированного алмаза больше, чем для чистого алмаза при T < 50 K, причем больше на порядок величины при температуре 5 K. На основе экспериментальных данных можно предположить, что скорость рассеяния фононов на нейтральных радиационных дефектах - вакансиях, их агрегатах и парах Френкеля (пара взаимодействующих друг с другом межузельного атома и вакансии) в чистом алмазе гораздо выше, чем на отрицательно заряженных таких дефектах в алмазе, легированном азотом, при низких температурах. Однако при высоких температурах соотношение скоростей рассеяния становится обратным.