Home
| VOLUME 124 (2026) | ISSUE 5 | PAGE 426 |
|---|
|
Температурная зависимость поля зародышеобразования в уединенных и обменно-связанных ультратонких пленках Co
Р. С. Евстигнеев, Ю. П. Кабанов, Л. С. Успенская, В. С. Горнаков
Институт физики твердого тела им. Ю. А. Осипьяна РАН, 142432 Черноголовка, Россия
Abstract
В диапазоне температур (T=30 300 K) экспериментально изучен процесс перемагничивания ультратонких слоев Со, уединенных и обменно-связанных через слой Pd, и определены поля зародышеобразования (H_N). Обнаружено, что в обменно-связанных пленках на зависимостях (H_N (T)) наблюдается кроссовер. В области высоких температур, где слои перемагничиваются независимо друг от друга, как и в однослойных пленках, (H_N T^-1), в области низких температур, где слои перемагничиваются скоррелированно, (H_N (T^-1)). Проведенные численные расчеты показали, что определяющим фактором зародышеобразования в гетероструктуре является межслоевое обменное взаимодействие, что позволяет качественно объяснить зависимость (H_N(T)). |