Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 93-112
   Volumes 113-124
      Volume 124
      Volume 123
      Volume 122
      Volume 121
      Volume 120
      Volume 119
      Volume 118
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
Search
VOLUME 124 (2026) | ISSUE 7 | PAGE 552
Одномерные экситоны на границе монослоя и гетеробислоя дихалькогенидов переходных металлов
Abstract
В спектре фотолюминесценции в гетероструктурах на основе WSe2/MoSe2 (нижний слой MoSe2), инкапсулированных гексагональным нитридом бора hBN, на границе монослоя WSe2 и гетеробислоя обнаружена новая линия, расположенная по энергии выше, чем линия межслоевого экситона, и ниже, чем линия экситона в монослое MoSe2. Линия интерпретируется как линия латерального интерфейсного экситона - одномерного экситона с пространственно разделенными электроном и дыркой, находящимися по разные стороны от границы в разных монослоях. Необходимым условием наблюдения является минимальный угол относительного поворота слоев WSe2 и MoSe2, образующих бислой.