Замороженная фотопроводимость в пленках YBaCuO
Кирилюк А.И., Крейнес Н.М.. Кудинов В.И.
В пленках УВазСизОв+х вблизи перехода полупроводник-сверхпроводник обнаружено явление замороженной фотопроводимости. После облучения пленок светом от аргонового лазера на температурной зависимости сопротивления появляется широкий сверхпроводящий переход вблизи 40К. Состояние с замороженной фотопроводимостью сохраняется вплоть до комнатной температуры, где время релаксации составляет порядка 20 ч.