Развитие электромагнитных ливней в ориентированных кристаллах вольфрама
Басков В.А., Гавенко В.Б., Гущин В.А., Жебровский Ю.В., Ким В.В., Колесников Л.Я., Коноров И.В., Лучков Б.И., Маишеев В.А., Рубашкин А.Л., Сергиенко В.И., Тугаенко В.Ю., Хабло В.А.
Приведены результаты экспериментальных исследований развития электромагнитных ливней, образованных электронами с энергией 28 ГэВ в ориентированных кристаллах вольфрама толщиной 0,07, 0,3 и 1,0 мм. При такой энергии начинает проявляться эффект "постоянного сильного поля" и развитие ливней в ориентированных кристаллах отличается от того, что наблюдается в аморфном веществе.