Спектроскопические наблюдения вигнеровской кристаллизации двумерных электронов в сильном поперечном магнитном поле
Буман X., Йосс В., К. фон Клитцинг, Кукушкин И.В., Мартинес Ж., Плаут А., Плог К., Тимофеев В.Б.
В спектрах излучательной рекомбинации двумерных {22}-) электронов в GaAs/AlGaAs гетероструктурах, помещенных в сильное поперечное магнитное поле при низких температурах (Τ ~ 0,4 К). при достижении критического значения фактора заполнения у* = 0,28 возникает новая линия. Свойства этой линии в зависимости от величины магнитного поля, температуры и беспорядка связываются с вигнеровской кристаллизацией в системе взаимодействующих электронов.