Оптическая поляризация ядер в GaAs/AlGaAs квантово-размерных структурах
Калевич В.К., Коренев В.Л., Федорова О.М.
Впервые в квантово-размерных структурах зарегистрирована поляризация ядер кристаллической решетки оптически ориентированными электронами. Получено выражение для скорости поляризации ядер невырожденным двумерным электронным газом. В результате сопоставления расчетного и определенного экспериментально времен продольной релаксации ядер сделан вывод, что в исследованных квантовых ямах GaAe/AlGaAs в интервале температур 2 77К ответственными за поляризацию ядер являются локализованные носители заряда.