|
VOLUME 52 (1990) | ISSUE 8 |
PAGE 1049
|
Механизм замороженной фотопроводимости в YBa2Cu3O7-δ
Крылов И.П.
В предложенной модели концентрация дырочных носителей, обеспечивающих электропроводность соединения, возрастает при освещении благодаря локализации электронов на кислородной вакансии симметрии D2kПри электронных переходах изменяются положения атомов вокруг вакансии, что обусловливает возникновение энергетического барьера, преодолеваемого за счет нулевых и тепловых колебаний решетки. Проведены численные оценки высоты барьера и времени релаксации, согласующиеся с экспериментом.
|
|