Устойчивость карбида кремния при высоких давлениях
Гончаров А.Ф., Яковенко Е.В., Стишов С.М
Исследовано влияние высоких давлений на фононный спектр SiC в направлении А, используя технику комбинационного рассеяния света и свойство универсальности дисперсионных кривых политипов SiC . Обнаружено уменьшение частоты ТА -колебаний на границе зоны Бриллюэна, указывающее на приближающуюся нестабильность решетки. Предполагается, что при Ρ > 1,5 Мбар в SiC произойдет структурный фазовый переход.