Фотовозбуждение локальных колебаний в полупроводниках
Абакумов В.Н., Пахомов А. А.
Обсуждается новый механизм возбуждения локальных колебаний дефектов с глубоким уровнем. Показано, \то при большой концентрации свободных носителей . и интенсивном фотовозбуждении дефектов энергия поглощаемого света может передаваться локальным колебаниям за счет многофононного безызлучательного захвата носителей на фотоионизованный дефект.