Поглощение света свободными носителями в полупроводнике в постоянном электрическом поле
Малевич В. Л.
На основе квантового кинетического уравнения рассмотрено поглощение света свободными носителями в полупроводнике в постоянном электрическом поле. Показано, что эффект динамического влияния поля на рассеяние электронов приводит к осциллирующей, линейной по полю поправке к коэффициенту поглощения света.