Прямое измерение времени электронной спин-решеточной релаксации парамагнитных центров в высокотемпературном сверхпроводнике
Ацаркин В.А., Буш А.А., Васнева Г.А.
Методом модулированного насыщения ЭПР с регистрацией продольной намагниченности непосредственно измерено время Т\ электронной спин-решеточной релаксации в ВТСП. На образце УВа2Сиз07_# получена температурная зависимость Τι парамагнитных центров Си2"1". Непосредственно ниже Тс наблюдается ускорение релаксации, что может быть связано с возникновением сверхпроводящей щели.