Ядерная спин-решеточная релаксация тулия в ТmВа2Сu3О6+x при низких температурах
Бахарев О.Н., Вагнер Д., Володин А.Г., Дуглав А.В., Егоров А.В., Марвин О.Б., Налетов В.В., Теплов М.А.
"Усиленный .ЯМΡ* тулия использован для определения местоположения парамагнитных центров (ПЦ) Си2+ в кристаллической решетке ТтВагСизОб+х (ж~0~-1). Анализ результатов измерений скоростей спин-решеточной релаксации ядер тулия в ориентирванных порошках TmBaCuO при низких (до 40 мК) температурах показывает, что в сверхпроводящих соединениях (а? 0, 4-r 1, 0) ГЩ меди локализуются на границах между, сверхпроводящими и несверхпроводящими микродоменами. Даны оценки средней длины сегментов цепей СиО (~ 90А при χ -1,0) и концентрации ПЦ Си2+(2) (2,4· 1019см"3 при ж-1,0).
|
Home
![](/ps/296/article_4780_800_head.png ""Усиленный .ЯМΡ* тулия использован для определения местоположения парамагнитных центров (ПЦ) Си<sup>2</sup>+ в кристаллической решетке ТтВагСизОб+х (ж~0~-1). Анализ результатов измерений скоростей спин-решеточной релаксации ядер тулия в ориентирванных порошках TmBaCuO при низких (до 40 мК) температурах показывает, что в сверхпроводящих соединениях (а? 0, 4-r 1, 0) ГЩ меди локализуются на границах между, сверхпроводящими и несверхпроводящими микродоменами. Даны оценки средней длины сегментов цепей СиО (~ 90А при <b><i>χ </i></b>-1,0) и концентрации ПЦ Си<sup>2</sup>+(2) (2,4· 10<sup>19</sup>см"<sup>3</sup> при ж-1,0).")