Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 61-80
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 41-60
      Volume 60
      Volume 59
      Volume 58
      Volume 57
      Volume 56
      Volume 55
      Volume 54
      Volume 53
      Volume 52
      Volume 51
      Volume 50
      Volume 49
      Volume 48
      Volume 47
      Volume 46
      Volume 45
      Volume 44
      Volume 43
      Volume 42
      Volume 41
Search
VOLUME 58 (1993) | ISSUE 10 | PAGE 822
Особенности эффекта слабой локализации 2D-дырок на поверхности (10\bar{1}0) теллура (роль анизотропии энергетического спектра)
Исследовалась, проводимость системы двумерных (2D) дырочных носителей заряда в аккумулирующем размерно-квантованном слое на поверхности (1010) кристалла теллура при температурах 1,3 4, 2 К. В области слабых магнитных полей обнаружено аномальное положительное магнитосопротивление, интерпретированное в рамках теории слабой локализации невзаимодействующих между собой частиц, модифицированной с учетом анизотропии зонного спектра теллура. Выявлена особая роль в процессах слабой локализации 2£)-дырок на поверхности теллура сбоя фазы волновой функции частиц при междолинных переходах.