Теория вертикального эффекта Холла в размерно-квантованной системе
Л. И. Магарилл, М. В. Энтин
Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
PACS: 71.70.Ej, 73.50.Jt, 73.63.Hs
Abstract
Изучается
возникновение поперечного перераспределения носителей в двумерной (2D)
системе под действием тангенциального электрического поля и
магнитного поля, имеющего тангенциальную компоненту. Показано, что
в результате перераспределения носителей возникает холловское
напряжение между изолированными электродами, размещенными над и
под квантовой пленкой. Это напряжение определяется тензором
2D проводимости и поперечной статической электрической
поляризуемостью 2D слоя. Найден дополнительный вклад в
вертикальное холловское напряжение, обусловленный ориентацией
электронных спинов магнитным полем и спин-орбитальным
взаимодействием электронов с потенциалом квантовой ямы.