Резонансное комбинационное рассеяние в сверхпроводящем Ba1-xKxBiO3
А. П. Менушенков, И. А. Троян+, М. И. Еремец*
Московский инженерно-физический институт (государственный университет), 115409 Москва, Россия
+Институт физики высоких давлений им. Л. Ф. Верещагина РАН, 142092 Троицк, Московская обл., Россия
*Max-Planck Institut fur Chemie, 55020 Mainz,Germany
PACS: 74.20.Mn, 74.25.Gz, 74.90.+n, 78.30.-j
Abstract
Исследовано влияние энергии кванта возбуждающего
лазерного излучения на форму спектров комбинационного рассеяния
Ba1-xKxBiO3 с x= 0.25, 0.40 и 0.50. Показано, что
увеличение длины волны лазерного излучения с 488 нм до 750 нм слабо
влияет на амплитуды и частоты линий в спектрах несверхпроводящего
состава с x=0.25. Обнаружен значительный рост интенсивности и
существенный сдвиг характерных частот для оптимально допированного
(x=0.40) и передопированного (x=0.50) сверхпроводящих составов.
Это указывает на то, что во всей области сверхпроводимости
локальная симметрия кристаллической решетки
Ba1-xKxBiO3 отличается от идеальной кубической
симметрии, которая
существует согласно литературным данным. Наблюдение резонансных
явлений при сдвиге энергии кванта возбуждающего лазера к энергии
оптической щели свидетельствует о существовании локальных
электронных пар во всем
диапазоне сверхпроводящих составов и говорит в пользу
механизма сверхпроводимости Ba1-xKxBiO3, предложенного нами ранее
на основе экспериментального исследования рентгеновских спектров
поглощения.