Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 61-80
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 41-60
      Volume 60
      Volume 59
      Volume 58
      Volume 57
      Volume 56
      Volume 55
      Volume 54
      Volume 53
      Volume 52
      Volume 51
      Volume 50
      Volume 49
      Volume 48
      Volume 47
      Volume 46
      Volume 45
      Volume 44
      Volume 43
      Volume 42
      Volume 41
Search
VOLUME 57 (1993) | ISSUE 9 | PAGE 557
Анизотропия электронного g-фактора в асимметричной квантовой яме GaAs/AlGaAs
Показано, что в асимметричной квантовой ямс, выращенной из полупроводников со структурой цинковой обманки н направлении ζ \\ [ООП, спиновое расщепление зоны проводимости, обусловленное отсутствием центра инверсии, приводит к анизотропии р-фактора электрона проводимости в плоскости ямы. На примере квантовой ямы GaAs/AlGaAs продемонстрировано, что характеризующие анизотропию электронного ^-фактора в плоскости ямы недиагональные компоненты дху — дух (х || [100]) могут быть соизмеримы по величине с диагональными компонентами 9*χ ~ 9уу ·