Асимметричные наноструктуры в магнитном поле
Горбацевич А.А., Капаев В.В., Копаев Ю.В.
Показано, что асимметричная система квантовых ям в магнитном поле, параллельном слоям, может обладать аномально большими фотогальваническим и магнитоэлектрическим эффектами. В скрещенных электрическом и магнитном полях возможна резкая передислокация электронов между ямами.