Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 77 (2003) | ISSUE 6 | PAGE 372
Кинематическое размножение элементарных ступеней на поверхности кристалла
PACS: 67.80.-s, 68.45.-v
Abstract
Рассматривается динамика элементарных ступеней на атомно-гладкой границе кристалл-жидкость и, в частности, процесс столкновения ступеней противоположного знака. Показано, что наряду с обычной аннигиляцией ступеней при таких столкновениях, при определенных условиях возможны как "переброс" ступеней в соседний ряд с образованием нового атомного слоя (прохождение), так и отражение ступеней друг от друга. "Переброс" ступеней дает качественно новый механизм роста граней в отсутствие возобновляемых источников, таких как ростовые дислокации. В этих условиях кинетика роста кристалла с атомно-гладкими гранями существенно изменяется. В частности, рассмотренные процессы могут лежать в основе физических механизмов экспериментально наблюдающихся необычных режимов роста кристаллов гелия при низких температурах.