Исследование пленки фуллерита по поверхности иридия методом ЭОС
Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я., Грушко Ю.С.
Разработана методика создания в сверхвысоком вакууме потока молекул Cso и использована дня выращивания пленки фуллерита на иридии. С высоким разрешением (Δ.Ε/Ε ^ 0, 1%) снят оже-спектр углерода от фуллерита, который имеет характерную форму, отличную от оже-сиектров алмаза, монои поликристалла графита1 карбидов металлов, SiC. Молекулы С&о начинают десорбироваться с фуллерита при > 600К, а с иридия при > 900К с потоком, слабо зависящим от Т. При > 1200 К молекулы Сбо эффективно распадаются в адсорбированном слое на £г с образованием графита.
|