Терагерцовая спектроскопия с джозефсоновским излучателем и СИНИС болометром
M. Тарасов , Л. Кузьмин , E. Степанцов , И. Агуло , А. Калабухов , М. Фоминский , Z. Ivanov , T. Claeson
+Институт радиотехники и электроники РАН, 114112 Фрязино, Московская обл., Россия *Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, 119899 Москва, Россия Институт кристаллографии РАН, 117333 Москва, Россия Chalmers University of Technology, Gothenburg, Sweden
PACS: 74.50.+r, 85.25.Pb
Abstract
Измерен отклик по напряжению болометра на горячих электронах в
тонкой пленке нормального металла структуры
сверхпроводник-изолятор-нормальный металл-изолятор- сверхпроводник (СИНИС) на
излучение высокотемпературного джозефсоновского перехода в терагерцовом
диапазоне. Болометры были интегрированы с планарными логопериодическими и
двойными дипольными антеннами, а джозефсоновские переходы интегрированы с
логопериодическими антеннами. Измерения показали, что джозефсоновский
переход, находящийся при 260 мК, перегревается транспортным током и
электронная температура превышает 3 К при напряжении смещения 1 мВ.
Максимум отклика болометра с двойной дипольной антенной наблюдался на частоте
300 ГГц, которая соответствует расчетной. Джозефсоновское излучение
наблюдалось на частотах до 1.7 ТГц. Отклик болометра по напряжению
достигает 4•108 В/Вт , полная мощность, эквивалентная шуму
1.5•10-17 Вт/Гц1/2.
|