Стабилизация заряженной поверхности жидкого гелия
Володин А.П., Эдельман B.C.
PACS: 73.90.+f
Предложен способ повышения критической плотности локализованных над поверхностью жидкого гелия электронов путем использования мелкоструктурной диэлектрической подложки, смачиваемой сверхтекучим гелием. Экспериментально достигнута плотность электронного заряда ^8 ■ 109 см 2> в ^3,5 раза превосходящая критическую плотность электронов, локализованных над свободной поверхностью гелия.