Резонансное туннелирование и "Long-range proximity effect"
Девятов И. А., Куприянов М.Ю.
В рамках уравнений Горькова рассчитан критический ток туннельных SIS структур, в которых основным каналом переноса тока является резонансное тунне-лирование через одиночное локализованное состояние (ЛС). Показано, что величина критического тока определяется конкуренцией туннельного и термического каналов распада состояния на ЛС. Полученные результаты находятся в удовлетворительном согласии с экспериментальными данными и позволяют объяснить природу аномального эффекта близости, а также свойства ВТ С Π джозефсоновских переходов на границах зерен.