Внутрицентровая инверсия как причина индуцированного излучения в сильно деформированном p-Ge
Алтухов И.В., Каган М.С., Королев К.А., Синис В.П.
Приведены экспериментальные данные, показывающие, что стимулированное излучение из одноосно сжатого p-Ge вызвано инверсией заполнения примесных уровней, образующихся из ^расщепленного деформацией основного состояния акцептора, когда один из них оказывается в непрерывном зонном спектре.