Образование дефектов в углеродной луковице при облучении ионами Ar
И. В. Пономарева, Л. А. Чернозатонский1)
Институт биохимической физики им. Н. М. Эмануэля РАН, 119991 Москва, Россия
PACS: 61.48.+c
Abstract
Методом молекулярной динамики исследуется
взаимодействие иона Ar с углеродной луковицей
C60@C240@C540 и пучка ионов Ar с углеродной
луковицей C60@C240@C540@C960. Исследуется
энергетический порог образования вакансии в пентагоне фуллереновой
оболочки луковицы в двух температурных режимах (300 и 1000 К).
Обнаружены и описываются основные типы дефектов, образующиеся в
луковичной структуре при различных энергиях бомбардирующих ионов.
Показано, что наименее устойчивыми областями в углеродной
луковице под воздействием облучения являются пятиугольные циклы и
их ближайшее окружение. Полученные результаты служат прямым
подтверждением возможности образования алмазной структуры при
облучении углеродных луковиц ионами.