Переход от режима сильной связи к режиму слабой связи при понижении Тc в системе Tl2Ba2CuO6+x
Вяселев О.М., Колесников Н.Н., Щеголев И.Ф.
С помощью ЯМР на 205Т1 в ориентированных образцах ВТСП системы ТЬВагСиОб+х с Тс от 115 до 30К (х от 0 до 0,3) изучено влияние увеличения концентрации кислорода на параметры электронной системы в нормальном и сверхпроводящем состояниях. По температурным зависимостям скорости спин-решеточной релаксации и сдвига Найта 205Т1 проведено измерение сверхпроводящей щели. Обнаружено уменьшение отношения А/Тс с уменьшением Тс, что указывает на соответствующее ослабление связи при допировании кислородом.