JETP Letters: issues online

$Исследованы квантовые осцилляции магнитосопротивления 2.0-электронов в инверсионном слое на границе бикристаллов p-Hgi_rCd«Te (χ 0,23) при всестороннем сжатии до Ρ 8кбар и одноосном сжатии σνν~\,5κ6αρ в направлении, перпендикулярном 2£>-слою. Обнаружено возрастание частоты осцилляции Fi и, соответственно, концентрации 2£)-электронов в каждой из трех наблюдаемых энергетических подзон в квантовой яме при одноосном сжатии. Такое изменение противоположно наблюдаемому при всестороннем сжатии, при котором nai во всех подзонах сильно падает с давлением, так что при Ρ > Юкбар инверсионный слой исчезает.$

Исследованы квантовые осцилляции магнитосопротивления 2.0-электронов в инверсионном слое на границе бикристаллов p-Hgi__rCd«Te (χ 0,23) при всестороннем сжатии до Ρ 8кбар и одноосном сжатии σ_νν~\,5κ6αρ в направлении, перпендикулярном 2£>-слою. Обнаружено возрастание частоты осцилляции Fi и, соответственно, концентрации 2£)-электронов в каждой из трех наблюдаемых энергетических подзон в квантовой яме при одноосном сжатии. Такое изменение противоположно наблюдаемому при всестороннем сжатии, при котором n_ai во всех подзонах сильно падает с давлением, так что при Ρ > Юкбар инверсионный слой исчезает.