Наблюдение эффектов обменного взаимодействия при оптической ориентации экситонов в AlGaAs
А. В. Ефанов, К. С. Журавлев, Т. С. Шамирзаев, В. Кельнер, Х. Пашер
Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия Physikalisches Institut, Universität, Bayreuth, F.R.G.
PACS: 71.35.Ji, 72.25.Rb
Abstract
Исследована экситонная люминесценция в слоях AlGaAs
при межзонном возбуждении циркулярно-поляризованным светом. На
кривых деполяризации люминесценции в поперечном магнитном поле
(эффект Ханле) обнаружены пики, расположенные симметрично
относительно точки H=0. Показано, что эффект вызван пересечением
уровней тонкой структуры в магнитном поле. Из сравнения
теоретических и экспериментальных зависимостей определена величина
обменного расщепления уровней объемного экситона, а также времена
рекомбинации и спиновой релаксации.
|