Инверсия горячих носителей по уровням Ландау
Козлов В.А., Мазов Л.С., Нефедов И.М., Заболотских М.Р.
PACS: 72.30.+q, 71.70.-d
Предложен способ создания инверсной заселенности горячими носителями уровней Ландау легкой подзоны в скрещенных Ε и В полях. Примесное рассеяние здесь даже способствует инверсии, и для нее не требуются „сверхчистые" полупроводники.